Abstrakt
In this paper is presented modified technology of preparation of Ni-P resistive layers. These layers are characterised by square resistance 0,5 - 10Ω, minimised TCR and best stability. In this paper are described change of resistance with changes of temperature.
| Przetłumaczony tytuł wkładu | Technology of preparation of Ni-P resistive layers |
|---|---|
| Język oryginału | polski |
| Strony (od–do) | 276-278 |
| Liczba stron | 3 |
| Czasopismo | Przeglad Elektrotechniczny |
| Tom | 86 |
| Numer wydania | 6 |
| Status publikacji | Opublikowano - cze 2010 |
Słowa kluczowe
- Chemical metallisation
- Electrical durability
- Resistive layers
- TCR
Obszary tematyczne ASJC Scopus
- Inżynieria elektryczna i elektroniczna
Fingerprint
Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metoda̧ bezpra̧dowej metalizacji”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.Cytowanie
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver