Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Krzysztof Przybyła

doi:10.15199/48.2018.01.33

Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Krzysztof Przybyła

Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki (RE/RE5)

Wyniki badań: Wkład do czasopisma › Artykuł › recenzja

Abstrakt

Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.

Przetłumaczony tytuł wkładu	Verification of power losses in the gate circuit in selected MOSFET transistors based on Si and SiC
Język oryginału	polski
Strony (od–do)	129-132
Liczba stron	4
Czasopismo	Przeglad Elektrotechniczny
Tom	21
Numer wydania	2
Identyfikatory DOI	https://doi.org/10.15199/48.2018.01.33
Status publikacji	Opublikowano - 2018

Słowa kluczowe

Gate circuit
MOSFET
Power losses
SiC

Obszary tematyczne ASJC Scopus

Inżynieria elektryczna i elektroniczna

Uzyskaj dostęp do dokumentu

10.15199/48.2018.01.33

Inne pliki i linki

Link do publikacji w Scopus

Cytuj to

@article{df2bf925b057472cbafc7e39ae2feb20,

title = "Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystor{\'o}w MOSFET na bazie Si i SiC",

abstract = "Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.",

keywords = "Gate circuit, MOSFET, Power losses, SiC",

author = "Krzysztof Przyby{\l}a",

year = "2018",

doi = "10.15199/48.2018.01.33",

language = "polski",

volume = "21",

pages = "129--132",

journal = "Przeglad Elektrotechniczny",

issn = "0033-2097",

publisher = "Wydawnictwo SIGMA-NOT",

number = "2",

}

TY - JOUR

T1 - Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

AU - Przybyła, Krzysztof

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.

AB - Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.

KW - Gate circuit

KW - MOSFET

KW - Power losses

KW - SiC

UR - https://www.scopus.com/pages/publications/85116475231

U2 - 10.15199/48.2018.01.33

DO - 10.15199/48.2018.01.33

M3 - Artykuł

AN - SCOPUS:85116475231

SN - 0033-2097

VL - 21

SP - 129

EP - 132

JO - Przeglad Elektrotechniczny

JF - Przeglad Elektrotechniczny

IS - 2

ER -

Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Abstrakt

Słowa kluczowe

Obszary tematyczne ASJC Scopus

Uzyskaj dostęp do dokumentu

Inne pliki i linki

Fingerprint

Cytuj to