Przeskocz do nawigacji głównej Przeskocz do wyszukiwania Przeskocz do głównej treści

Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors

  • Institute of Physics
  • High-Tech International Services

Wyniki badań: Wkład do czasopisma › Artykuł › recenzja

30 Cytowania z bazy Scopus

Abstrakt

The measurements of the response-in terms of the conductance changes-to oxygen adsorption of tin dioxide (SnO2) thin-film-based gas sensors were performed. The sensing SnO2 layers were obtained by means of the rheotaxial growth and thermal oxidation (RGTO) method. The sensor responses were measured under a dry gas flow containing oxygen in nitrogen, within the range of temperature from 25 to 540 °C. For comparison, similar studies were performed for a commercial SnO2 thick-film (TGS 812) gas sensor. The in-depth profiles of the chemical composition of the RGTO SnO2 layers were determined from the scanning Auger microprobe experiment. The changes in concentration ratios [O]/[Sn] and [C]/[Sn] from the near-surface region towards the grain bulk were shown.

Język oryginałuangielski
Strony (od–do)966-970
Liczba stron5
CzasopismoVacuum
Tom82
Numer wydania10
Identyfikatory DOI
Status publikacjiOpublikowano - 3 cze 2008

Obszary tematyczne ASJC Scopus

  • Instrumentacja
  • Fizyka materii skondensowanej
  • Powierzchnie, powłoki i filmy

Fingerprint

Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.

Cytowanie