Abstrakt
Comparison results of 300 kHz, 20 kW Class D-ZVS inverters are presented in the paper. Inverters were based on CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) transistor and 5 parallel placed IXFN 44N80P (Si, 5x25 A) transistors. The inverter with SiC MOSFET in comparison with 5xSi MOSFET achieves (8-26)% higher output power, higher efficiency by 2% and gate circuit power losses are 2.5 times lower. The parallel placement of several Si MOSFET transistors is acceptable in the inverter of high power, 20 kW or more.
| Przetłumaczony tytuł wkładu | Comparison of 300 kHz Class D-ZVS inverters for induction heating with MOSFET transistors based on Si and SiC |
|---|---|
| Język oryginału | polski |
| Strony (od–do) | 60-64 |
| Liczba stron | 5 |
| Czasopismo | Przeglad Elektrotechniczny |
| Tom | 94 |
| Numer wydania | 3 |
| Identyfikatory DOI | |
| Status publikacji | Opublikowano - 2018 |
Słowa kluczowe
- Class D-ZVS inverter
- MOSFET
- Parallel placement
- SiC
Obszary tematyczne ASJC Scopus
- Inżynieria elektryczna i elektroniczna
Fingerprint
Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.Cytuj to
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver