Przeskocz do nawigacji głównej Przeskocz do wyszukiwania Przeskocz do głównej treści

Photoemission yield study of the Fermi level position of the copper phthalocyanine thin films

Wyniki badań: Wkład do czasopisma › Artykuł z konferencji › recenzja

1 Cytowanie z bazy Scopus

Abstrakt

Photoemission yield spectroscopy (PYS) has been used in studies of the interface Fermi level position of the UHV annealed copper phthalocyanine (CuPc) thin films exposed to oxygen. Its variation, depending on oxygen exposure, is analyzed. Moreover the possible origin of the effective density of filled electronic states localized in the band gap below the Fermi level EF and in the upper part of the valence band is briefly discussed.

Język oryginałuangielski
Strony (od–do)326-328
Liczba stron3
CzasopismoElectron Technology (Warsaw)
Tom29
Numer wydania2-3
Status publikacjiOpublikowano - 1996
WydarzenieProceedings of the 1995 3rd Seminar on Surface and Thin Film Structures - Spala, Pol
Czas trwania: 23 paź 1995 → 26 paź 1995

Obszary tematyczne ASJC Scopus

  • Inżynieria ogólna

Fingerprint

Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Photoemission yield study of the Fermi level position of the copper phthalocyanine thin films”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.

Cytowanie