Abstrakt
An original idea of semiconductor defects identification in CCD matrix was presented in the article. The procedure is simple and easy to execute because of no need for special and expensive equipment. The method classifies defects into two groups: the point defects and the spatial defects (dislocations). During the experiments it was proven that the type of defect affects the behavior of the dark current generation during the light gathering.
| Przetłumaczony tytuł wkładu | Identyfikacja defektów struktury krystalicznej matryce CCD |
|---|---|
| Język oryginału | angielski |
| Strony (od–do) | 79-82 |
| Liczba stron | 4 |
| Czasopismo | Przeglad Elektrotechniczny |
| Tom | 89 |
| Numer wydania | 3 A |
| Status publikacji | Opublikowano - 2013 |
Obszary tematyczne ASJC Scopus
- Inżynieria elektryczna i elektroniczna
Fingerprint
Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Identyfikacja defektów struktury krystalicznej matryce CCD”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.Cytuj to
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver