Abstrakt
The optical transmittance and reflectance of SbSI single crystals had been measured for photon energies from 1.5 to 2.6 eV in temperature range from 77 K to 343 K. The experimental data had been evaluated to determine anisotropic, spectral and temperature dependences of real part of refractive index and absorption coefficient of SbSI. The temperature dependence of the energy gap had been evaluated from the spectral characteristics of absorption of light with electric field parallel and perpendicular to the c axis of the SbSI. The phase transition had been determined from the temperature dependences of optical parameters as well as from the temperature dependence of the energy gap. The photoconductivity of the investigated crystals had been measured as a function of photon energy, illumination intensity and temperature.
| Język oryginału | angielski |
|---|---|
| Strony (od–do) | 172-177 |
| Liczba stron | 6 |
| Czasopismo | Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering |
| Tom | 5136 |
| Status publikacji | Opublikowano - 2002 |
| Wydarzenie | Solid State Crytals 2002 Crystalline Materials for Optoelectronics - Zakopane, Polska Czas trwania: 14 paź 2002 → 18 paź 2002 |
Obszary tematyczne ASJC Scopus
- Materiały elektroniczne, optyczne i magnetyczne
- Fizyka materii skondensowanej
- Zastosowania informatyki
- Matematyka stosowana
- Inżynieria elektryczna i elektroniczna
Fingerprint
Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Optical and photoelectrical properties of SbSI”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.Cytowanie
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver