Przeskocz do nawigacji głównej Przeskocz do wyszukiwania Przeskocz do głównej treści

Optical and photoelectrical properties of SbSI

  • Silesian University of Technology

Wyniki badań: Wkład do czasopismaArtykuł z konferencjirecenzja

15 Cytowania z bazy Scopus

Abstrakt

The optical transmittance and reflectance of SbSI single crystals had been measured for photon energies from 1.5 to 2.6 eV in temperature range from 77 K to 343 K. The experimental data had been evaluated to determine anisotropic, spectral and temperature dependences of real part of refractive index and absorption coefficient of SbSI. The temperature dependence of the energy gap had been evaluated from the spectral characteristics of absorption of light with electric field parallel and perpendicular to the c axis of the SbSI. The phase transition had been determined from the temperature dependences of optical parameters as well as from the temperature dependence of the energy gap. The photoconductivity of the investigated crystals had been measured as a function of photon energy, illumination intensity and temperature.

Język oryginałuangielski
Strony (od–do)172-177
Liczba stron6
CzasopismoProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Tom5136
Status publikacjiOpublikowano - 2002
WydarzenieSolid State Crytals 2002 Crystalline Materials for Optoelectronics - Zakopane, Polska
Czas trwania: 14 paź 200218 paź 2002

Obszary tematyczne ASJC Scopus

  • Materiały elektroniczne, optyczne i magnetyczne
  • Fizyka materii skondensowanej
  • Zastosowania informatyki
  • Matematyka stosowana
  • Inżynieria elektryczna i elektroniczna

Fingerprint

Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Optical and photoelectrical properties of SbSI”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.

Cytowanie