Przeskocz do nawigacji głównej Przeskocz do wyszukiwania Przeskocz do głównej treści

Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET

  • Kamil Kierepka

Wyniki badań: Wkład do czasopismaArtykułrecenzja

2 Cytowania z bazy Scopus

Abstrakt

The paper presents a SiC MOSFET half bridge voltage source inverter with capacitive divider, loaded with a dual-frequency series resonant circuit. FPGA-based digital PWM control scheme is presented. Converter’s efficiency as a function of active power (DC bus) was measured by relying on transistors’ cases temperature increase as a function of power loss.

Przetłumaczony tytuł wkładuSingle simultaneous dual frequency inverter for induction heating, half bridge topology
Język oryginałupolski
Strony (od–do)95-98
Liczba stron4
CzasopismoPrzeglad Elektrotechniczny
Tom94
Numer wydania9
Identyfikatory DOI
Status publikacjiOpublikowano - 2018

Słowa kluczowe

  • Induction heating
  • Resonance
  • SiC MOSFET
  • Simultaneous dual-frequency inverter

Obszary tematyczne ASJC Scopus

  • Inżynieria elektryczna i elektroniczna

Fingerprint

Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.

Cytowanie