Przeskocz do nawigacji głównej Przeskocz do wyszukiwania Przeskocz do głównej treści

Influence of the pvd process parameters on zno: Al thin films

  • Silesian University of Technology

Wyniki badań: Wkład do czasopisma › Artykuł › recenzja

Abstrakt

In recent years a growing interest in searching new material for producing Transparent Conductive Layers (TLC) is observed. ZnO:Al thin films are this type material, interesting due to wide range of potential applications where it can be applied like: transparent electrodes, gas sensors, thin film transistors, sensor devices, electroluminescent diodes and others. The aim of this paper is to discuss influence of the ZnO:Al film deposition parameters of PVD magnetron sputtering method on TCL structure and its chemical composition. It contains description of the ZnO:Al PVD magnetron sputtering deposition method. It discusses results obtained from the analysis of the microstructure of ZnO:Al thin films using a high resolution scanning electron microscope, layers' surface topography determined with atomic force microscope and results of chemical composition analyses.

Język oryginałuangielski
Strony (od–do)1-5
Liczba stron5
CzasopismoApplied Engineering Letters
Tom2
Numer wydania1
Status publikacjiOpublikowano - 2017

Obszary tematyczne ASJC Scopus

  • Materiałoznawstwo ogólne
  • Inżynieria ogólna
  • Energia ogólna

Fingerprint

Zanurz się w tematy badawcze publikacji „Influence of the pvd process parameters on zno: Al thin films”. Razem tworzą niepowtarzalny odcisk palca.

Cytowanie